Samsung Electronics показала нове покоління технологій пам’яті, орієнтованих на системи штучного інтелекту. Компанія представила прототип чіпа V10 Bonding V-NAND (BV-NAND). Він має понад 400 шарів і покликаний підвищити продуктивність та ємність сховищ для систем штучного інтелекту.
Нова технологія пам’яті
Презентація відбулася на конференції Future of Memory and Storage (FMS) у Санта-Кларі, Каліфорнія. Компанія Samsung розраховує за допомогою нових розробок зміцнити свої позиції на ринку пам’яті, де стрімко зростає попит через розвиток штучного інтелекту.
Компанія заявляє, що BV-NAND забезпечує на 58% більшу щільність зберігання порівняно з попереднім поколінням V9 NAND. Також нова технологія має покращити швидкість читання, запису та обміну даними. А це надзвичайно важливо для сучасних систем штучного інтелекту, які працюють не лише з навчанням моделей, а й із генерацією відповідей у реальному часі. NAND-пам’ять використовується для довготривалого зберігання інформації у різних пристроях: від смартфонів до серверного обладнання.
Крім BV-NAND, Samsung представила концепції нових 3D-архітектур пам’яті zHBM і zNAND-O. Їхня особливість полягає у вертикальному розміщенні елементів пам’яті, що дозволяє скоротити відстань між процесором та сховищем даних.
Технологія zHBM має розташовувати пам’ять не поруч із прискорювачами ШІ, як у традиційних системах, а безпосередньо над ними. Це може збільшити швидкість передачі інформації та знизити енергоспоживання.
